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onsemi FQB11N40CTM
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | FQB11N40CTM |
| Código de Pieza EBEE | E8898634 |
| Paquete | D2PAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 400V 10.5A 0.53Ω@10V,5.25A 135W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.5760 | $ 4.5760 |
| 10+ | $3.9473 | $ 39.4730 |
| 30+ | $3.5722 | $ 107.1660 |
| 100+ | $3.1941 | $ 319.4100 |
| 500+ | $3.0204 | $ 1510.2000 |
| 800+ | $2.9420 | $ 2353.6000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | onsemi FQB11N40CTM | |
| RoHS |  | |
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| RDS (on) | 530mΩ@10V | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 110pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 135W | |
| Drain to Source Voltage | 400V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10.5A | |
| Gate Charge(Qg) | 35nC@320V | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.09nF |
Guía de compra
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| 30+ | $3.5722 | $ 107.1660 |
| 100+ | $3.1941 | $ 319.4100 |
| 500+ | $3.0204 | $ 1510.2000 |
| 800+ | $2.9420 | $ 2353.6000 |
