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onsemi FGL60N100BNTDTU
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | FGL60N100BNTDTU |
| Código de Pieza EBEE | E8105610 |
| Paquete | TO-264-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 180W 60A 1kV TO-264-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Hoja de Datos | onsemi FGL60N100BNTDTU | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1kV | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 4V@60mA | |
| Pd - Power Dissipation | 180W | |
| IGBT Type | NPT (Non-Punch Through) | |
| Gate Charge(Qg) | 275nC@15V | |
| Td(off) | 630ns | |
| Td(on) | 140ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 200pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 1.2us | |
| Turn-On Energy (Eon) | - | |
| Input Capacitance(Cies) | 6nF | |
| Output Capacitance(Coes) | 260pF |
Guía de compra
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