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onsemi FGHL50T65MQDT
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | FGHL50T65MQDT |
| Código de Pieza EBEE | E85209101 |
| Paquete | TO-247-3L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-3LD IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Hoja de Datos | onsemi FGHL50T65MQDT | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 3V@50mA | |
| Pd - Power Dissipation | 268W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 99nC@15V | |
| Td(off) | 90ns | |
| Td(on) | 19ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 11pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 79ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 290uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 470uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 3.335nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 200A | |
| Output Capacitance(Coes) | 105pF |
Guía de compra
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