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onsemi FDS4435BZ
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | FDS4435BZ |
| Código de Pieza EBEE | E823931 |
| Paquete | SO-8 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 30V 8.8A 20mΩ@10V,8.8A 2.5W 2.1V@250uA 1 Piece P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3374 | $ 1.6870 |
| 50+ | $0.2802 | $ 14.0100 |
| 150+ | $0.2556 | $ 38.3400 |
| 500+ | $0.2250 | $ 112.5000 |
| 2500+ | $0.2114 | $ 528.5000 |
| 5000+ | $0.2032 | $ 1016.0000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | onsemi FDS4435BZ | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS(on) | 20mΩ@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 345pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.845nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 365pF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC@10V |
Guía de compra
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| 50+ | $0.2802 | $ 14.0100 |
| 150+ | $0.2556 | $ 38.3400 |
| 500+ | $0.2250 | $ 112.5000 |
| 2500+ | $0.2114 | $ 528.5000 |
| 5000+ | $0.2032 | $ 1016.0000 |
