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onsemi FDS3170N7
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | FDS3170N7 |
| Código de Pieza EBEE | E83279745 |
| Paquete | SO-8 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 100V 6.7A 26mΩ@10V,6.7A 3W 2.5V@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5535 | $ 2.5535 |
| 200+ | $0.9884 | $ 197.6800 |
| 500+ | $0.9529 | $ 476.4500 |
| 1000+ | $0.9369 | $ 936.9000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | ||
| Hoja de Datos | onsemi FDS3170N7 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 6.7A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 26mΩ@10V,6.7A | |
| Disipación de energía (Pd) | 3W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.5V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 82pF@50V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 2.714nF@50V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 77nC |
Guía de compra
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|---|---|---|
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| 500+ | $0.9529 | $ 476.4500 |
| 1000+ | $0.9369 | $ 936.9000 |
