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onsemi ECH8402-TL-E
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | ECH8402-TL-E |
| Código de Pieza EBEE | E83288423 |
| Paquete | ECH-8 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 30V 10A 32mΩ@4V,2.5A 1.6W 1V@1mA 1 N-channel ECH-8 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2413 | $ 0.2413 |
| 200+ | $0.0934 | $ 18.6800 |
| 500+ | $0.0902 | $ 45.1000 |
| 1000+ | $0.0886 | $ 88.6000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | ||
| Hoja de Datos | onsemi ECH8402-TL-E | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -25℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 10A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 32mΩ@4V,2.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.6W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1V@1mA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 190pF@10V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.4nF@10V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 28nC |
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| 1000+ | $0.0886 | $ 88.6000 |
