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onsemi 2SD1802T-E
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | 2SD1802T-E |
| Código de Pieza EBEE | E8898362 |
| Paquete | TO-251-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 50V 1W 200@100mA,2V 5A NPN TO-251-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2895 | $ 0.2895 |
| 200+ | $0.1120 | $ 22.4000 |
| 500+ | $0.1081 | $ 54.0500 |
| 1000+ | $0.1061 | $ 106.1000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Hoja de Datos | onsemi 2SD1802T-E | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | - | |
| Corriente de Coleccionista (Ic) | 5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1W | |
| Coleccionista Cut-Off Corriente (Icbo) | 1uA | |
| Colector-Emiter de ruptura de la tensión (Vceo) | 50V | |
| DC Current Gain (hFE Ic,Vce) | 200@100mA,2V | |
| Frecuencia de transición (fT) | 150MHz | |
| Voltaje de Saturación Coleccionista-Emitador (VCE(sat) Ic, Ib) | 190mV@2A,100mA | |
| Tipo de transistor | NPN |
Guía de compra
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| 500+ | $0.1081 | $ 54.0500 |
| 1000+ | $0.1061 | $ 106.1000 |
