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onsemi 2SA2012-TD-E
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | 2SA2012-TD-E |
| Código de Pieza EBEE | E8898913 |
| Paquete | SOT-89-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 30V 3.5W 200@500mA,2V 5A PNP SOT-89-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3977 | $ 0.3977 |
| 200+ | $0.1539 | $ 30.7800 |
| 500+ | $0.1485 | $ 74.2500 |
| 1000+ | $0.1458 | $ 145.8000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Hoja de Datos | onsemi 2SA2012-TD-E | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | - | |
| Corriente de Coleccionista (Ic) | 5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 3.5W | |
| Coleccionista Cut-Off Corriente (Icbo) | 100nA | |
| Colector-Emiter de ruptura de la tensión (Vceo) | 30V | |
| DC Current Gain (hFE Ic,Vce) | 200@500mA,2V | |
| Frecuencia de transición (fT) | 350MHz | |
| Voltaje de Saturación Coleccionista-Emitador (VCE(sat) Ic, Ib) | [email protected],125mA | |
| Tipo de transistor | PNP |
Guía de compra
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| 1000+ | $0.1458 | $ 145.8000 |
