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NXP Semicon PMZB420UN,315
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | PMZB420UN,315 |
| Código de Pieza EBEE | E87327600 |
| Paquete | DFN1006B-3 |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 30V 490mΩ 360mW 950mV@250uA 1 N-channel DFN1006B-3 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3044 | $ 0.3044 |
| 200+ | $0.1216 | $ 24.3200 |
| 500+ | $0.1174 | $ 58.7000 |
| 1000+ | $0.1155 | $ 115.5000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Configuración | - | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | - | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 490mΩ | |
| Disipación de energía (Pd) | 360mW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 950mV@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 4.8pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 65pF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | [email protected] |
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| 1000+ | $0.1155 | $ 115.5000 |
