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NXP Semicon BC856B/DG/B3235
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | BC856B/DG/B3235 |
| Código de Pieza EBEE | E83201064 |
| Paquete | TO-236AB |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 65V 250mW 125@2mA,5V 100mA PNP TO-236AB Bipolar (BJT) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0608 | $ 0.0608 |
| 200+ | $0.0236 | $ 4.7200 |
| 500+ | $0.0228 | $ 11.4000 |
| 1000+ | $0.0223 | $ 22.3000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,Bipolar (BJT) | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | - | |
| Corriente de Coleccionista (Ic) | 100mA | |
| Disipación de energía (Pd) | 250mW | |
| Coleccionista Cut-Off Corriente (Icbo) | 15nA | |
| Colector-Emiter de ruptura de la tensión (Vceo) | 65V | |
| DC Current Gain (hFE Ic,Vce) | 125@2mA,5V | |
| Frecuencia de transición (fT) | 100MHz | |
| Voltaje de Saturación Coleccionista-Emitador (VCE(sat) Ic, Ib) | 650mV@100mA,5mA | |
| Tipo de transistor | PNP |
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| 500+ | $0.0228 | $ 11.4000 |
| 1000+ | $0.0223 | $ 22.3000 |
