| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | TIP33B |
| Código de Pieza EBEE | E86284529 |
| Paquete | TO-218 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 80V 80W 100@3A,4V 10A NPN TO-218 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3531 | $ 4.3531 |
| 200+ | $1.7374 | $ 347.4800 |
| 500+ | $1.6799 | $ 839.9500 |
| 1000+ | $1.6503 | $ 1650.3000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Hoja de Datos | NTE Electronics TIP33B | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| Corriente de Coleccionista (Ic) | 10A | |
| Disipación de energía (Pd) | 80W | |
| Colector-Emiter de ruptura de la tensión (Vceo) | 80V | |
| DC Current Gain (hFE Ic,Vce) | 100@3A,4V | |
| Frecuencia de transición (fT) | 3MHz | |
| Tipo de transistor | NPN |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3531 | $ 4.3531 |
| 200+ | $1.7374 | $ 347.4800 |
| 500+ | $1.6799 | $ 839.9500 |
| 1000+ | $1.6503 | $ 1650.3000 |
