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NTE ELECTRONICS, INC. BDV65
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | BDV65 |
| Código de Pieza EBEE | E85596252 |
| Paquete | TO-218 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 60V 125W 1000@5A,4V 12A NPN TO-218 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.9704 | $ 6.9704 |
| 200+ | $2.7813 | $ 556.2600 |
| 500+ | $2.6889 | $ 1344.4500 |
| 1000+ | $2.6436 | $ 2643.6000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Hoja de Datos | NTE Electronics BDV65 | |
| RoHS | ||
| Corriente de Coleccionista (Ic) | 12A | |
| Disipación de energía (Pd) | 125W | |
| Colector-Emiter de ruptura de la tensión (Vceo) | 60V | |
| DC Current Gain (hFE Ic,Vce) | 1000@5A,4V | |
| Frecuencia de transición (fT) | 60MHz | |
| Tipo de transistor | NPN |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
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| 500+ | $2.6889 | $ 1344.4500 |
| 1000+ | $2.6436 | $ 2643.6000 |
