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NIKO Semicon PE642DT
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | PE642DT |
| Código de Pieza EBEE | E8532974 |
| Paquete | DFN-8-EP(3x3) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 30V 34A 9mΩ@10V,10A 20W 2.3V@250uA 2 N-Channel DFN-8-EP(3x3) MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2868 | $ 0.2868 |
| 10+ | $0.2302 | $ 2.3020 |
| 30+ | $0.2059 | $ 6.1770 |
| 100+ | $0.1756 | $ 17.5600 |
| 500+ | $0.1622 | $ 81.1000 |
| 1000+ | $0.1431 | $ 143.1000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | NIKO Semicon PE642DT | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 2 N-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 34A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 9mΩ@10V,10A | |
| Disipación de energía (Pd) | 20W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.3V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 139pF@15V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 782pF@15V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 9.6nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2868 | $ 0.2868 |
| 10+ | $0.2302 | $ 2.3020 |
| 30+ | $0.2059 | $ 6.1770 |
| 100+ | $0.1756 | $ 17.5600 |
| 500+ | $0.1622 | $ 81.1000 |
| 1000+ | $0.1431 | $ 143.1000 |
