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NIKO Semicon PA410BD
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | PA410BD |
| Código de Pieza EBEE | E8532967 |
| Paquete | TO-252-2 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 100V 10A 140mΩ@10V,5A 35W 2.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | NIKO Semicon PA410BD | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 10A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 140mΩ@10V,5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 35W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.3V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 22pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 330pF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 8.6nC@10V |
Guía de compra
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