| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | JANSR2N3501L |
| Código de Pieza EBEE | E83201393 |
| Paquete | TO-5 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 150V 1W 100@150mA,10V 300mA NPN TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
Por favor envíe una RFQ, responderemos de inmediato.
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $375.7915 | $ 375.7915 |
| 200+ | $145.4260 | $ 29085.2000 |
| 500+ | $140.3156 | $ 70157.8000 |
| 1000+ | $137.7907 | $ 137790.7000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Hoja de Datos | MICROCHIP JANSR2N3501L | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corriente de Coleccionista (Ic) | 300mA | |
| Disipación de energía (Pd) | 1W | |
| Coleccionista Cut-Off Corriente (Icbo) | 10uA | |
| Colector-Emiter de ruptura de la tensión (Vceo) | 150V | |
| DC Current Gain (hFE Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Frecuencia de transición (fT) | - | |
| Voltaje de Saturación Coleccionista-Emitador (VCE(sat) Ic, Ib) | 400mV@150mA,15mA | |
| Tipo de transistor | NPN |
Por favor envíe una RFQ, responderemos de inmediato.
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $375.7915 | $ 375.7915 |
| 200+ | $145.4260 | $ 29085.2000 |
| 500+ | $140.3156 | $ 70157.8000 |
| 1000+ | $137.7907 | $ 137790.7000 |
