| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | JANKCB2N3439 |
| Código de Pieza EBEE | E83201236 |
| Paquete | TO-39(TO-205AD) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 350V 800mW 40@20mA,10V 1A NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $67.2417 | $ 67.2417 |
| 200+ | $26.0219 | $ 5204.3800 |
| 500+ | $25.1081 | $ 12554.0500 |
| 1000+ | $24.6555 | $ 24655.5000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Hoja de Datos | MICROCHIP JANKCB2N3439 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+200℃@(Tj) | |
| Corriente de Coleccionista (Ic) | 1A | |
| Disipación de energía (Pd) | 800mW | |
| Coleccionista Cut-Off Corriente (Icbo) | 2uA | |
| Colector-Emiter de ruptura de la tensión (Vceo) | 350V | |
| DC Current Gain (hFE Ic,Vce) | 40@20mA,10V | |
| Frecuencia de transición (fT) | - | |
| Voltaje de Saturación Coleccionista-Emitador (VCE(sat) Ic, Ib) | 500mV@50mA,4mA | |
| Tipo de transistor | NPN |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $67.2417 | $ 67.2417 |
| 200+ | $26.0219 | $ 5204.3800 |
| 500+ | $25.1081 | $ 12554.0500 |
| 1000+ | $24.6555 | $ 24655.5000 |
