| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | JAN2N6338 |
| Código de Pieza EBEE | E83201151 |
| Paquete | TO-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 100V 200W 30@10A,2V NPN TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $300.7124 | $ 300.7124 |
| 200+ | $116.3717 | $ 23274.3400 |
| 500+ | $112.2835 | $ 56141.7500 |
| 1000+ | $110.2623 | $ 110262.3000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Hoja de Datos | MICROCHIP JAN2N6338 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corriente de Coleccionista (Ic) | - | |
| Disipación de energía (Pd) | 200W | |
| Coleccionista Cut-Off Corriente (Icbo) | 50uA | |
| Colector-Emiter de ruptura de la tensión (Vceo) | 100V | |
| DC Current Gain (hFE Ic,Vce) | 30@10A,2V | |
| Frecuencia de transición (fT) | - | |
| Voltaje de Saturación Coleccionista-Emitador (VCE(sat) Ic, Ib) | 1.8V@25A,2.5A | |
| Tipo de transistor | NPN |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $300.7124 | $ 300.7124 |
| 200+ | $116.3717 | $ 23274.3400 |
| 500+ | $112.2835 | $ 56141.7500 |
| 1000+ | $110.2623 | $ 110262.3000 |
