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MDD(Microdiode Semiconductor) US1G
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | US1G |
| Código de Pieza EBEE | E8415549 |
| Paquete | SMA |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 1.3V@1A 50ns Independent Type 1A 400V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0123 | $ 0.6150 |
| 500+ | $0.0098 | $ 4.9000 |
| 1500+ | $0.0084 | $ 12.6000 |
| 5000+ | $0.0073 | $ 36.5000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Diodes ,Recuperación rápida / Diodos de alta eficiencia | |
| Hoja de Datos | MDD(Microdiode Semiconductor) US1G | |
| RoHS | ||
| Corriente de fuga inversa (Ir) | 50uA | |
| Diode Configuración | Independent | |
| Tiempo de recuperación inverso (trr) | 75ns | |
| Tensión - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Guía de compra
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