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MDD(Microdiode Semiconductor) S8050-J3Y
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | S8050 |
| Código de Pieza EBEE | E8364312 |
| Paquete | SOT-23 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 25V 300mW 120@50mA,1V 500mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0110 | $ 0.5500 |
| 500+ | $0.0090 | $ 4.5000 |
| 3000+ | $0.0054 | $ 16.2000 |
| 6000+ | $0.0047 | $ 28.2000 |
| 24000+ | $0.0044 | $ 105.6000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,Bipolar (BJT) | |
| Hoja de Datos | MDD(Microdiode Semiconductor) S8050 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 25V | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Number | 1 NPN | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| DC Current Gain | 400 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 5V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 600mV | |
| Transition frequency(fT) | 150MHz |
Guía de compra
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