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MDD(Microdiode Semiconductor) MDD50N03D
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | MDD50N03D |
| Código de Pieza EBEE | E85357578 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| Descripción | 30V 50A 28W 9mΩ@10V 1V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 600+ | $0.0673 | $ 40.3800 |
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| 10000+ | $0.0572 | $ 572.0000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | MDD(Microdiode Semiconductor) MDD50N03D | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 6.5mΩ@10V;8.3mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -50℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 164pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 28W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.015nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 201pF | |
| Gate Charge(Qg) | 23.6nC |
Guía de compra
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