| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | ME15N10-G |
| Código de Pieza EBEE | E8147781 |
| Paquete | TO-252-2(DPAK) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 100V 14.7A 34.7W 100mΩ@10V,8A 3V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2144 | $ 1.0720 |
| 50+ | $0.1757 | $ 8.7850 |
| 150+ | $0.1592 | $ 23.8800 |
| 500+ | $0.1386 | $ 69.3000 |
| 2500+ | $0.1294 | $ 323.5000 |
| 5000+ | $0.1239 | $ 619.5000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | MATSUKI ME15N10-G | |
| RoHS | ||
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 14.7A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 100mΩ@10V,8A | |
| Disipación de energía (Pd) | 34.7W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3V@250uA |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2144 | $ 1.0720 |
| 50+ | $0.1757 | $ 8.7850 |
| 150+ | $0.1592 | $ 23.8800 |
| 500+ | $0.1386 | $ 69.3000 |
| 2500+ | $0.1294 | $ 323.5000 |
| 5000+ | $0.1239 | $ 619.5000 |
