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MATSUKI ME08N20-G


Fabricante
Código de Pieza del Fabricante
ME08N20-G
Código de Pieza EBEE
E8709728
Paquete
TO-252-3
Número de Cliente
Hoja de Datos
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descripción
200V 9A 350mΩ@10V,5A 74.9W 4V@250uA 1 N-channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
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50+$0.2528$ 12.6400
150+$0.2248$ 33.7200
500+$0.1899$ 94.9500
2500+$0.1743$ 435.7500
5000+$0.1650$ 825.0000
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TipoDescripción
Seleccionar Todo
CategoríaTransestantes/Thyristors ,MOSFETs
Hoja de DatosMATSUKI ME08N20-G
RoHS
Temperatura de funcionamiento-55℃~+150℃@(Tj)
Tipo1 N-channel
Drenin Source Voltage (Vdss)200V
Corriente de drenaje continuo (Id)9A
Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id)350mΩ@10V,5A
Disipación de energía (Pd)74.9W
Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id)4V@250uA
Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds)21pF@25V
Capacitación de entradas (Ciss-Vds)2.61nF@25V
Total Gate Charge (Qg-Vgs)51.7nC@10V

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