| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | MSG50T65HHC0 |
| Código de Pieza EBEE | E87424067 |
| Paquete | TO-247 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 50A 650V TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7350 | $ 1.7350 |
| 10+ | $1.4243 | $ 14.2430 |
| 30+ | $1.2311 | $ 36.9330 |
| 90+ | $1.0320 | $ 92.8800 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,Transistores IGBT / Módulos | |
| Hoja de Datos | MASPOWER MSG50T65HHC0 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃ | |
| Colector-Emiter Breakdown Voltage (Vces) | 650V | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge (Vge (th) .Ic) | 4V@250uA | |
| Pd - Power Dissipation | 368W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 118nC@15V | |
| Td(off) | 140ns | |
| Td(on) | 33ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 125ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.53mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 650uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 3.33nF@25V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7350 | $ 1.7350 |
| 10+ | $1.4243 | $ 14.2430 |
| 30+ | $1.2311 | $ 36.9330 |
| 90+ | $1.0320 | $ 92.8800 |
