| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | LSGE06R046HWB |
| Código de Pieza EBEE | E82836186 |
| Paquete | TO-263-2 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 60V 104A 4.6mΩ@10V,20A 89W 4V@250uA TO-263-2 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7405 | $ 0.7405 |
| 10+ | $0.6141 | $ 6.1410 |
| 30+ | $0.5527 | $ 16.5810 |
| 100+ | $0.4894 | $ 48.9400 |
| 500+ | $0.4516 | $ 225.8000 |
| 800+ | $0.4336 | $ 346.8800 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | LONTEN LSGE06R046HWB | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | - | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 104A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 4.6mΩ@10V,20A | |
| Disipación de energía (Pd) | 89W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 67pF@30V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 3511pF@30V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 48nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7405 | $ 0.7405 |
| 10+ | $0.6141 | $ 6.1410 |
| 30+ | $0.5527 | $ 16.5810 |
| 100+ | $0.4894 | $ 48.9400 |
| 500+ | $0.4516 | $ 225.8000 |
| 800+ | $0.4336 | $ 346.8800 |
