| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | LND10N65 |
| Código de Pieza EBEE | E8439225 |
| Paquete | TO-220F-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 650V 10A [email protected] 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9013 | $ 0.9013 |
| 10+ | $0.7297 | $ 7.2970 |
| 50+ | $0.6430 | $ 32.1500 |
| 100+ | $0.5581 | $ 55.8100 |
| 500+ | $0.5058 | $ 252.9000 |
| 1000+ | $0.4805 | $ 480.5000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | LONTEN LND10N65 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | - | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Configuración | - | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 10A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | - | |
| Disipación de energía (Pd) | - | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | [email protected] | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 6.8pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1622pF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 34.2nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9013 | $ 0.9013 |
| 10+ | $0.7297 | $ 7.2970 |
| 50+ | $0.6430 | $ 32.1500 |
| 100+ | $0.5581 | $ 55.8100 |
| 500+ | $0.5058 | $ 252.9000 |
| 1000+ | $0.4805 | $ 480.5000 |
