| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | D35NF06-JSM |
| Código de Pieza EBEE | E818194418 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descripción | 60V 30A 30mΩ@10V,15A 40W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4888 | $ 0.4888 |
| 200+ | $0.1950 | $ 39.0000 |
| 500+ | $0.1886 | $ 94.3000 |
| 1000+ | $0.1854 | $ 185.4000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | JSMSEMI D35NF06-JSM | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 30A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 30mΩ@10V,15A | |
| Disipación de energía (Pd) | 40W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.5V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 65pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.7nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 20nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4888 | $ 0.4888 |
| 200+ | $0.1950 | $ 39.0000 |
| 500+ | $0.1886 | $ 94.3000 |
| 1000+ | $0.1854 | $ 185.4000 |
