| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IVST12050SA1L |
| Código de Pieza EBEE | E85806860 |
| Paquete | SOT-227 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 1.2kV 64A 413W 50mΩ@20V,20A 3.2V@6mA 1 N-channel SOT-227 MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $37.3986 | $ 37.3986 |
| 3+ | $36.7820 | $ 110.3460 |
| 30+ | $34.9319 | $ 1047.9570 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | InventChip IVST12050SA1L | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 50mΩ@20V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 5.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 413W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 64A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.75nF |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $37.3986 | $ 37.3986 |
| 3+ | $36.7820 | $ 110.3460 |
| 30+ | $34.9319 | $ 1047.9570 |
