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InventChip IV2Q12080T4Z
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IV2Q12080T4Z |
| Código de Pieza EBEE | E822368196 |
| Paquete | TO-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descripción | TO-247-4 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0707 | $ 9.0707 |
| 10+ | $7.7556 | $ 77.5560 |
| 30+ | $6.9540 | $ 208.6200 |
| 90+ | $6.2827 | $ 565.4430 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | InventChip IV2Q12080T4Z | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 104mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 4.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 41A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.214nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58.1pF | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC |
Guía de compra
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| 10+ | $7.7556 | $ 77.5560 |
| 30+ | $6.9540 | $ 208.6200 |
| 90+ | $6.2827 | $ 565.4430 |
