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InventChip IV2Q12040D7Z
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IV2Q12040D7Z |
| Código de Pieza EBEE | E822368195 |
| Paquete | TO-263-7 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descripción | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $16.0215 | $ 16.0215 |
| 10+ | $15.2552 | $ 152.5520 |
| 30+ | $13.9263 | $ 417.7890 |
| 100+ | $12.7660 | $ 1276.6000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | InventChip IV2Q12040D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 52mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 5.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 417W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.16nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 100pF | |
| Gate Charge(Qg) | 110nC |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
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| 1+ | $16.0215 | $ 16.0215 |
| 10+ | $15.2552 | $ 152.5520 |
| 30+ | $13.9263 | $ 417.7890 |
| 100+ | $12.7660 | $ 1276.6000 |
