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InventChip IV2Q12030D7Z
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IV2Q12030D7Z |
| Código de Pieza EBEE | E822368193 |
| Paquete | TO-263-7 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descripción | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.0156 | $ 18.0156 |
| 10+ | $17.1527 | $ 171.5270 |
| 30+ | $15.6583 | $ 469.7490 |
| 100+ | $14.3555 | $ 1435.5500 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | InventChip IV2Q12030D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 39mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 395W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 79A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 140pF | |
| Gate Charge(Qg) | 135nC |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
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| 10+ | $17.1527 | $ 171.5270 |
| 30+ | $15.6583 | $ 469.7490 |
| 100+ | $14.3555 | $ 1435.5500 |
