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InventChip IV2Q06060D7Z
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IV2Q06060D7Z |
| Código de Pieza EBEE | E822368190 |
| Paquete | TO-263-7 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descripción | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.2920 | $ 8.2920 |
| 10+ | $8.0928 | $ 80.9280 |
| 30+ | $7.9594 | $ 238.7820 |
| 100+ | $7.8261 | $ 782.6100 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | InventChip IV2Q06060D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 78mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 7.6pF | |
| Pd - Power Dissipation | 174W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 43A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.218nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 118pF | |
| Gate Charge(Qg) | 64nC |
Guía de compra
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| 10+ | $8.0928 | $ 80.9280 |
| 30+ | $7.9594 | $ 238.7820 |
| 100+ | $7.8261 | $ 782.6100 |
