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InventChip IV2Q06025L1
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IV2Q06025L1 |
| Código de Pieza EBEE | E822368183 |
| Paquete | TOLL |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descripción | TOLL MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $20.4618 | $ 20.4618 |
| 10+ | $19.4824 | $ 194.8240 |
| 30+ | $17.7857 | $ 533.5710 |
| 100+ | $16.3051 | $ 1630.5100 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | InventChip IV2Q06025L1 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 33mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 19pF | |
| Pd - Power Dissipation | 600W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 111A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.09nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 251pF | |
| Gate Charge(Qg) | 125nC |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
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| 10+ | $19.4824 | $ 194.8240 |
| 30+ | $17.7857 | $ 533.5710 |
| 100+ | $16.3051 | $ 1630.5100 |
