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InventChip IV2Q06025D7Z
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IV2Q06025D7Z |
| Código de Pieza EBEE | E822368184 |
| Paquete | TO-263-7 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descripción | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $15.4130 | $ 15.4130 |
| 10+ | $14.6743 | $ 146.7430 |
| 30+ | $13.3960 | $ 401.8800 |
| 100+ | $12.2817 | $ 1228.1700 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | InventChip IV2Q06025D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 33mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 19pF | |
| Pd - Power Dissipation | 600W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 111A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.09nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 251pF | |
| Gate Charge(Qg) | 125nC |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $15.4130 | $ 15.4130 |
| 10+ | $14.6743 | $ 146.7430 |
| 30+ | $13.3960 | $ 401.8800 |
| 100+ | $12.2817 | $ 1228.1700 |
