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Infineon Technologies IRFB4110PBF
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IRFB4110PBF |
| Código de Pieza EBEE | E82650 |
| Paquete | TO-220 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 100V 180A 4.5mΩ@10V,75A 370W 4V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Infineon Technologies IRFB4110PBF | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 4.5mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 250pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 370W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 180A | |
| Ciss-Input Capacitance | 9.62nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 670pF | |
| Gate Charge(Qg) | 210nC@10V |
Guía de compra
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