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Infineon Technologies IKB10N60T
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IKB10N60T |
| Código de Pieza EBEE | E8536143 |
| Paquete | TO-263-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-263-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,Transistores IGBT / Módulos | |
| Hoja de Datos | Infineon Technologies IKB10N60T | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+175℃ | |
| Colector-Emiter Breakdown Voltage (Vces) | 600V | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge (Vge (th) .Ic) | [email protected] | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Gate Charge(Qg) | 62nC@15V | |
| Td(off) | 215ns | |
| Td(on) | 12ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 115ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 270uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 160uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 551pF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 30A |
Guía de compra
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