| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IDK08G65C5XTMA2 |
| Código de Pieza EBEE | E83758485 |
| Paquete | TO-263-2 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 1.8V@8A 8A TO-263-2 SiC Diodes ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2629 | $ 5.2629 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,SiC Diodes | |
| Hoja de Datos | Infineon Technologies IDK08G65C5XTMA2 | |
| RoHS | ||
| Corriente de fuga inversa (Ir) | 140uA@650V | |
| Tensión - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.8V@8A | |
| Current - Rectified | 8A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 68A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2629 | $ 5.2629 |
