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Infineon Technologies IDH04G65C6XKSA1
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IDH04G65C6XKSA1 |
| Código de Pieza EBEE | E86577446 |
| Paquete | TO-220-2 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 650V 1.35V@4A 12A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,SiC Diodes | |
| Hoja de Datos | Infineon Technologies IDH04G65C6XKSA1 | |
| RoHS | ||
| Corriente de fuga inversa (Ir) | 14uA@420V | |
| Tensión - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.35V@4A | |
| Current - Rectified | 12A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 29A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guía de compra
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