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IDCHIP SI2301
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SI2301 |
| Código de Pieza EBEE | E82848195 |
| Paquete | SOT-23 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 20V 3.4A 1W 80mΩ@2.5V,3A 400mV@250uA SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0346 | $ 0.0346 |
| 200+ | $0.0135 | $ 2.7000 |
| 500+ | $0.0130 | $ 6.5000 |
| 1000+ | $0.0128 | $ 12.8000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | IDCHIP SI2301 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 20V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 3.4A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 80mΩ@2.5V,3A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 400mV@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 65pF | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 550pF | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | [email protected] |
Guía de compra
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| 200+ | $0.0135 | $ 2.7000 |
| 500+ | $0.0130 | $ 6.5000 |
| 1000+ | $0.0128 | $ 12.8000 |
