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HXY MOSFET US1G
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | US1G |
| Código de Pieza EBEE | E85199105 |
| Paquete | SMA |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 1.3V@1A 50ns Independent Type 1A 400V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Diodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes | |
| Hoja de Datos | HXY MOSFET US1G | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@400V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Guía de compra
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