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HXY MOSFET UMH3N
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | UMH3N |
| Código de Pieza EBEE | E820611976 |
| Paquete | SOT-363 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | NPN+NPN 150mW 0.1A 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transistors/Thyristors ,Digital Transistors | |
| Hoja de Datos | HXY MOSFET UMH3N | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | - | |
| Type | NPN | |
| Input Resistor | 4.7kΩ | |
| Resistor Ratio | - | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 2 NPN (Pre-Biased) | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| DC Current Gain | 600 | |
| Current - Collector Cutoff | 0.5uA | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 300mV | |
| Transition frequency(fT) | 250MHz | |
| Output Voltage(VO(on)) | - |
Guía de compra
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