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HXY MOSFET SI2308
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SI2308 |
| Código de Pieza EBEE | E85337194 |
| Paquete | SOT-23 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 60V 3A 86mΩ@10V,3A 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | HXY MOSFET SI2308 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 85mΩ@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.25W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 295pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.9nC@27V |
Guía de compra
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