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HXY MOSFET HXY5N10AI
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | HXY5N10AI |
| Código de Pieza EBEE | E83033404 |
| Paquete | SOT-23 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 100V 5A 125mΩ@10V,4A 2.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | HXY MOSFET HXY5N10AI | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 125mΩ@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 3.6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.1W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 182pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.57nC@10V |
Guía de compra
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