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HXY MOSFET HC3D10065E
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | HC3D10065E |
| Código de Pieza EBEE | E822449557 |
| Paquete | TO-252-2L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 650V Independent Type 1.3V@10A TO-252-2L SiC Diodes ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Hoja de Datos | HXY MOSFET HC3D10065E | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@10A | |
| Current - Rectified | 30A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 80A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guía de compra
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