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HXY MOSFET HC1D08065N
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | HC1D08065N |
| Código de Pieza EBEE | E841428798 |
| Paquete | QPFN-8(5x6) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | QPFN-8(5x6) SiC Diodes ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Hoja de Datos | HXY MOSFET HC1D08065N | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.55V@8A | |
| Current - Rectified | 30A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 55A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guía de compra
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