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HXY MOSFET HC1D08065E


Fabricante
Código de Pieza del Fabricante
HC1D08065E
Código de Pieza EBEE
E841428786
Paquete
TO-252-2L
Número de Cliente
Hoja de Datos
Modelos EDA
ECCN
-
Descripción
TO-252-2L SiC Diodes ROHS
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
Cant.Precio UnitarioPrecio Ext.
1+$1.5489$ 1.5489
10+$1.2964$ 12.9640
30+$1.1577$ 34.7310
100+$1.0011$ 100.1100
500+$0.9318$ 465.9000
1000+$0.8993$ 899.3000
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$
TipoDescripción
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CategoríaSilicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes
Hoja de DatosHXY MOSFET HC1D08065E
RoHS
Reverse Leakage Current (Ir)50uA@650V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650V
Voltage - Forward(Vf@If)1.3V@8A
Current - Rectified30A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current64A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+175℃

Guía de compra

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