| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | HSS3N06 |
| Código de Pieza EBEE | E822359216 |
| Paquete | SOT-23L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 60V 3.2A 95mΩ@10V,3A 1.4W 2.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23L MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0459 | $ 0.4590 |
| 100+ | $0.0371 | $ 3.7100 |
| 300+ | $0.0328 | $ 9.8400 |
| 3000+ | $0.0296 | $ 88.8000 |
| 6000+ | $0.0269 | $ 161.4000 |
| 9000+ | $0.0256 | $ 230.4000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | HUASHUO HSS3N06 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 N-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 3.2A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 95mΩ@10V,3A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.4W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.5V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 11pF@10V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 260pF@10V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 5.6nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0459 | $ 0.4590 |
| 100+ | $0.0371 | $ 3.7100 |
| 300+ | $0.0328 | $ 9.8400 |
| 3000+ | $0.0296 | $ 88.8000 |
| 6000+ | $0.0269 | $ 161.4000 |
| 9000+ | $0.0256 | $ 230.4000 |
