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HUASHUO HSBG2103
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | HSBG2103 |
| Código de Pieza EBEE | E8845598 |
| Paquete | DFN1006-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 20V 650mA 520mΩ@4.5V,650mA 150mW 1V@250uA 1 Piece P-Channel DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | HUASHUO HSBG2103 | |
| RoHS | ||
| Tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 20V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 650mA | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 520mΩ@4.5V,650mA | |
| Disipación de energía (Pd) | 150mW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1V@250uA |
Guía de compra
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