| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | HSBG2024 |
| Código de Pieza EBEE | E8508789 |
| Paquete | X1-DFN1006-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 20V 1.4A 230mΩ@4.5V,550mA 700mW 1V@250uA 1 N-Channel X1-DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0583 | $ 0.5830 |
| 100+ | $0.0474 | $ 4.7400 |
| 300+ | $0.0420 | $ 12.6000 |
| 1000+ | $0.0380 | $ 38.0000 |
| 5000+ | $0.0305 | $ 152.5000 |
| 10000+ | $0.0289 | $ 289.0000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | HUASHUO HSBG2024 | |
| RoHS | ||
| Tipo | 1 N-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 20V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 1.4A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 230mΩ@4.5V,550mA | |
| Disipación de energía (Pd) | 700mW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1V@250uA |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0583 | $ 0.5830 |
| 100+ | $0.0474 | $ 4.7400 |
| 300+ | $0.0420 | $ 12.6000 |
| 1000+ | $0.0380 | $ 38.0000 |
| 5000+ | $0.0305 | $ 152.5000 |
| 10000+ | $0.0289 | $ 289.0000 |
