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HUASHUO HSBA15810C
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | HSBA15810C |
| Código de Pieza EBEE | E8845605 |
| Paquete | PQFN-8(5x6) |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descripción | 100V 100A 4.5mΩ@10V,30A 208W 4V@250uA 1 N-channel PQFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | HUASHUO HSBA15810C | |
| RoHS | ||
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 100A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 4.5mΩ@10V,30A | |
| Disipación de energía (Pd) | 208W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@250uA |
Guía de compra
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