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High Diode 2N7002K
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | 2N7002K |
| Código de Pieza EBEE | E8466661 |
| Paquete | SOT-23 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 60V 340mA 5.3Ω@4.5V,200mA 350mW 2.5V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
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| 20+ | $0.0254 | $ 0.5080 |
| 200+ | $0.0205 | $ 4.1000 |
| 600+ | $0.0178 | $ 10.6800 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | High Diode 2N7002K | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 340mA | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 5.3Ω@4.5V,200mA | |
| Disipación de energía (Pd) | 350mW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.5V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 10pF | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 40pF | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 30nC@10V |
Guía de compra
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| 20+ | $0.0254 | $ 0.5080 |
| 200+ | $0.0205 | $ 4.1000 |
| 600+ | $0.0178 | $ 10.6800 |
| 3000+ | $0.0151 | $ 45.3000 |
| 9000+ | $0.0137 | $ 123.3000 |
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